ROHM und TSMC: Innovationskraft für den EV-Markt durch GaN-Technologie

ROHM hat eine strategische Partnerschaft mit der Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) initiiert, um Gallium-Nitrid (GaN) Leistungskomponenten für den Markt der Elektrofahrzeuge zu entwickeln und in die Massenproduktion zu bringen. Diese Zusammenarbeit vereint ROHMs Expertise in der Entwicklung von Komponenten mit TSMCs fortschrittlicher GaN-on-Silicon-Prozesstechnologie. Das Ziel der Partnerschaft ist es, der steigenden Nachfrage nach Hochspannungs- und Hochfrequenz-Leistungskomponenten gerecht zu werden. Diese bieten wesentliche Vorteile gegenüber herkömmlichen, auf Silizium basierenden Lösungen. GaN-Leistungskomponenten, die bereits in Verbraucherelektronik und industriellen Anwendungen wie AC-Adaptern und Netzteilen weit verbreitet sind, sollen eine entscheidende Rolle in der Elektrofahrzeugtechnologie spielen, insbesondere bei Onboard-Ladegeräten und Invertern. Die Expertise von TSMC im Bereich der umweltfreundlichen Fertigung ergänzt dabei die ökologischen Vorteile der GaN-Technologie und positioniert diese optimal für den zunehmenden Nachhaltigkeitsfokus in der Automobilindustrie. Die Partnerschaft baut auf einer erfolgreichen Historie gemeinsamer Projekte zwischen ROHM und TSMC auf, darunter die Einführung der 650V GaN High-Electron Mobility Transistoren (HEMT) von TSMC für die EcoGaN Serie von ROHM im Jahr 2023. Katsumi Azuma, Senior Managing Executive Officer und Vorstandsmitglied von ROHM, betonte die Bedeutung verlässlicher Partner bei der Umsetzung solcher Innovationen und lobte die fortschrittliche Fertigungstechnologie von TSMC. Zusätzlich zu dieser Partnerschaft plant ROHM, nutzerfreundliche GaN-Lösungen bereitzustellen, die Steuer-ICs zur Maximierung der GaN-Performance einschließen und somit die Verbreitung in der Automobilindustrie fördern sollen. Chien-Hsin Lee, Senior Director für die Geschäftsentwicklung von Spezialtechnologien bei TSMC, sieht in der vertieften Zusammenarbeit mit ROHM ein großes Potenzial, die Grenzen der GaN-Technologie im Bereich der Elektrofahrzeuge weiter auszureizen.